薄膜電路

3.1產品特性 Features 薄膜電路,指的是在陶瓷基片上通過光刻,電鍍等半導體工藝,將電阻、金屬導帶等集成為一體,形成特定功能的電路。主要有以下特點: A thin film circuit is fabricated by sputtering photolithography , plating as well as other standard semiconductor pr

3.1產品特性  Features

  薄膜電路,指的是在陶瓷基片上通過光刻,電鍍等半導體工藝,將電阻、金屬導帶等集成為一體,形成特定功能的電路。主要有以下特點:

   A thin film circuit is fabricated by sputtering photolithography , plating as well as other standard semiconductor process . Film resistor , film inductor , film conductor and other distributed circuit components are integrated in one ceramic substrate . The features of the thin film circuits are as f0llows:

高集成度、小體積 High integrity and small size

高精度、提供優異的元器件性能   

High precision of the line , excellent component performance

優異的溫度穩定特性以及頻率特性,使用頻率至毫米波

Excellent temperature and frequency characteristic , working frequency up to millimeter wave band

3.2產品運用 Applications

通訊領域:微波毫米波通訊、光通訊、5G通訊、無線電通訊

Communications applications: Microwave &millimeter wave communications , Optical communications and Telecommunications

LED大功率照明領域  LED power lighting applications

傳感技術領域  Sensors applications

醫療成像領域  Medical imaging applications

生物技術領域  Biotech applications

3.3產品概述  Overview

3.3.1產品金屬層結構  Product  metallayers


3.4.2陶瓷基片  Ceramic Substrate

基片材料及參數  Substrate parameters

項目

純度

表面粗糙度

介電常數

介質損耗

熱導率

密度

熱膨脹系數

單位

%

Ra(μm)

@1MHz

@1MHz

W/m·K

g/cm3

10-6mm/℃

即燒氧化鋁

96

0.2~0.5

9.5±0.2

0.0003

24.7

3.7

6.5~8.0

(25℃~800℃)

即燒氧化鋁

99.6

0.1~0.2

9.9±0.1

0.0001

26.9

3.87

7.0~8.3

(25℃~1000℃)

拋光氧化鋁

99.6

0.03~0.08

9.9±0.1

0.0001

26.9

3.87

7.0~8.3

(25℃~1000℃)

即燒氮化鋁

99

0.1~0.2

8.8±0.2

0.001

180~230

3.28

4.6

(25℃~300℃)

拋光氮化鋁

99

0.03~0.08

8.8±0.2

0.001

180~230

3.28

4.6

(25℃~300℃)

拋光鈦酸鹽

N/A

0.1~0.3

20~300

0.0005~0.01

N/A

N/A

N/A

3.4.3常規厚度及代碼

代碼

05

10

15

20

25

30

40

厚度(mm)

0.127±0.02

0.254±0.03

0.381±0.03

0.508±0.05

0.635±0.05

0.762±0.05

1.016±0.05

注:基片的選擇:基片的選擇主要取決于介電常數,介電常數會決定導線的特征尺寸。電路具有精細的導線結構時應選用99.6%氧化鋁,此款材料具有很精細的顆粒結構。在功率較大的電路運用中應選擇99%氮化鋁,此款材料具有很好的熱導率。

厚度選擇:基片的厚度會直接影響產品的使用頻率,以99.6%氧化鋁為例最佳的使用頻率為:

基片厚度為0.635mm,最高使用頻率到6GHz;基片厚度為0.508mm,最高使用頻率到12GHz;

基片厚度為0.381mm,最高使用頻率到18GHz;基片厚度為0.254mm,最高使用頻率到40GHz;

基片厚度為0.127mm時最高使用頻率可超過40GHz。

3.4.4 金屬體系  Metal system  

本公司為客戶提供了4種金屬體系選擇,若電路中含有電阻,必需選擇含有TaN的金屬體系:

 

金屬體系

功能

焊接方式

金屬層厚度

TiW/Au

微帶線

適用AuSn、AuGe、AuSi、導電膠等焊料,不適用PdSn焊料

Au層厚度:0.5~5μm

Ni層厚度:0.1~0.3μm

TiW層厚度:0.05~0.1μm

TaN層厚度:0.02~0.1μm

金層厚度可按照客戶要求控制,公差為±0.5μm。氮化鉭厚度符合方阻要求為準。

TiW/Ni/Au

微帶線

適用AuSn、AuGe、AuSi、導電膠、PdSn等焊料

TaN/TiW/Au

微帶線、電阻

適用AuSn、AuGe、AuSi、導電膠等焊料,不適用PdSn焊料

TaN/TiW/Ni/Au

微帶線、電阻

適用AuSn、AuGe、AuSi、導電膠、PdSn等焊料

 

 

3.4.5 表面金屬化

通孔金屬化:為方便接地,本公司可提供帶金屬化通孔的薄膜電路,金屬化通孔電阻小于等于50毫歐姆。

孔徑與基片厚度的最佳比例為1:1,可加工的最小金屬化通孔孔徑為基片厚度的0.8倍,孔位最小偏差為50μm,詳細要求如下(T為基片厚度):


金屬圖形化及性能精度:

項目

典型值

極限值

圖形化

最小線寬

50μm

20μm

最小縫寬

50μm

20μm(帶金屬化通孔極限值為50μm)

套刻精度

10μm

5μm

線條精度

±10μm

±3μm

性能

方阻值

50Ω

10Ω~200Ω

電阻精度

±10%

±5%

電極耐溫

400℃×6min

400℃×10min

 

3.4.6薄膜電阻設計規則  Resistor Design Formula


一鍵導航 一鍵通話 關于新巨 產品分類
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