射頻高Q電容器

1.特性 Featuresu 尺寸規格系列化,適用于混合集成電路或印刷電路的表面貼裝元件Series part size , Fit to Hybrid IC ,Printed circuits for Surface – mount useu 具有高Q值、低ESR、可靠性高的特點High Q ,,Low ESR ,High Reliabilityu 損耗低,電容量穩定性高、工作頻率最高可達3GH

1.特性 Features

尺寸規格系列化,適用于混合集成電路或印刷電路的表面貼裝元件

Series part size , Fit to Hybrid IC ,Printed circuits for Surface  mount use

具有高Q值、低ESR、可靠性高的特點

High Q ,,Low ESR ,High Reliability

損耗低,電容量穩定性高、工作頻率最高可達3GHz

Low dielectric loss ,High stable capacitance variation , Work Frequency up to 3 GHz

適用于各類設備中的高頻電路、VHF-微波段、射頻及放大電路中

Used in applications of High Frequency , VHF microwave band , RF and other amplifier circuits domain

2.主要性能指標  Key Performances

溫度系數 TCC : COG:0±0.2%或±0.05pF , 取較大者

電容量漂移:不超過±0.2%或±0.05pF , 取較大者

Capacitance drift : Not more than ±0.2% of the nominal value or ±0.05pF , Whichever is greater ,from the initial value

品質因數(Q值):頻率為1MHz時大于5000  Q:More than 5000@ 1MHz

老化特性: Capacitance Aging :NO effect on capacitance aging

絕緣電阻: 20℃下:≥100000MΩ@20℃  IR:≥100000MΩ@20℃

介質耐電壓(測度浪涌電流不超過50 mA:2.5UR DWV :2.5UR(less than 50mA surge current)

工作溫度:-55-125℃ Working Temp : -55-125℃

3. 產品型號規格 Part Number Code

 

4.特性曲線  Characteristic Curve


一鍵導航 一鍵通話 關于新巨 產品分類
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